模型 | PPS-8200/8300 |
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晶圆尺寸 | 6/8/12英寸 |
解决 | 2.0 µmL/S(2.0 µm 抗蚀剂厚度) |
NA(数值孔径) | 0.16、0.1 变量 |
减速比 | 1:1 |
场地大小 | 52毫米×33毫米 |
曝光波长 | ghi-Line gh-line i-line(链接到配方) |
标线尺寸 | 6英寸 |
叠加精度 | ≤0.5微米(|平均|+3σ) |
设备尺寸/重量 | (宽)2,260 x (深)3,460 x (高)2,500 毫米 / 5,500 公斤 |
主要选项 | 背面对准系统 晶圆周边曝光系统 晶圆周边非曝光系统 薄晶圆传送系统 GEM 通信兼容 内联兼容 |
【新品上市】半导体曝光装置PPS-8200/8300
适合各种应用兼容WL-CSP、IGBT、CIS等光刻6/8/12英寸。 |
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